| 型号：SI7898DP-T1-E3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：PowerPAK? SO-8 | 描述：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 150V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 85 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 21nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 1.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| HECC GROUP CO，LIMITED | 蔡小姐/吴小姐/钱先生/朱先生086-755-88608527（高端电子元件渠道商）/83950895/83950890 |
| 深圳市汇景欣电子有限公司 | 黎小姐0755-23051326 |
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